報(bào) 告 人：朱金龍 研究員

報(bào)告題目：光學(xué)精密成像及其在集成電路量測(cè)中的應(yīng)用

報(bào)告時(shí)間：2023年11月24日（周五）下午2：30

報(bào)告地點(diǎn)：教科院報(bào)告廳

主辦單位：機(jī)電工程學(xué)院、科學(xué)技術(shù)研究院

報(bào)告人簡(jiǎn)介：

朱金龍，華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院教授/研究員，博士生導(dǎo)師。主要研究方向?yàn)榧呻娐芳{米尺度探測(cè)技術(shù)與裝備、光電集成器件的設(shè)計(jì)與制造技術(shù)、工業(yè)三維測(cè)量技術(shù)與裝備。以第一作者、通訊作者在包括Nature Communications、Advanced Science、ACS Nano、Nano Letters等期刊和國(guó)際頂會(huì)上發(fā)表論文 60 余篇。已獲美國(guó)、國(guó)內(nèi)授權(quán)專(zhuān)利 20 余項(xiàng)。

報(bào)告摘要：

對(duì)電子設(shè)備、智能設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)的需求不斷增長(zhǎng)，是集成電路關(guān)鍵尺寸減小、電路復(fù)雜性增加的主要驅(qū)動(dòng)力。然而，隨著 10 納米以下的大批量制造成為主流，人們?cè)絹?lái)越意識(shí)到 OEM 組件引入的缺陷會(huì)影響良率和制造成本。這些缺陷（包括隨機(jī)顆粒和系統(tǒng)缺陷）的識(shí)別、定位和分類(lèi)在 10 nm 及以上的節(jié)點(diǎn)上變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。最近，傳統(tǒng)光學(xué)缺陷檢測(cè)與納米光子學(xué)、光學(xué)渦旋、計(jì)算成像、定量相位成像和深度學(xué)習(xí)等新興技術(shù)的結(jié)合為該領(lǐng)域帶來(lái)了新的可能性。在本次匯報(bào)中，我們將全面回顧過(guò)去十年中新興的集成電路晶圓缺陷檢測(cè)技術(shù)，并詳細(xì)介紹本課題組開(kāi)發(fā)的用于半導(dǎo)體測(cè)量和檢測(cè)的新型相位成像技術(shù)。